荷兰此次针对先进半导体制造相关物项施加出口管制限制措施。具体如下：

1. 3B001.l：EUV薄膜。

2. 3B001.m：EUV薄膜生产设备。

3. 3B001.f.4：符合规定技术说明的，具有下述任一项或两项特征的，使用光电或X射线方法对准和曝光晶圆的直接步进重复式或步进扫描式光刻设备：

（1）光源波长小于193纳米；

（2）光源波长大于或等于193纳米：

a. 能够产生具有45纳米或更小的最小可分辨特征尺寸（MRF）的图案，及

b. 最大专用卡盘覆盖（DCO）值小于或等于1.50纳米。

4. 3B001.d.12：符合规定技术说明的，可用于金属剥离的原子层沉积（ALD）设备：

（1）具有下述所有特征：

a.一种以上的金属源，其中一种已被开发用于铝（AI）前体材料；以及

b.设计用于温度超过45℃的原材料容器；以及

（2）设计用于沉积具有以下所有特征的“功函数”金属：

a.沉积碳化钛铝（TiAlC）；以及

b.高于4.0eV的“特定功函数的金属”的可能性。

5. 3B001.a.4：符合规定技术说明的，具有下述所有特征的，设计用于硅(Si)、碳掺杂硅、硅锗(SiGe)或碳掺杂硅锗的外延生长的设备：

（1）在工艺步骤之间保持高真空（小于或等于0.01Pa）或惰性气氛（水和氧分压小于0.01PA）的多个腔室和装置；

（2）至少有一个设计用于旨在清洁晶圆表面的表面制备工作的预处理室；以及

（3）外延沉积工作温度为685℃或以下。

6. 3B001.d.19：设计用于通过无空隙等离子体增强低k电介质层沉积的设备，其空隙宽度小于25纳米，深度与高度比（AR）等于或大于1:1，介电常数小于3.3的金属线之间。

7. 3D007：为上述任何ECCN设备开发、生产或使用而专门设计的软件。

8. 3E005：上述任何ECCN设备开发、生产或使用所必需的技术。

此次荷兰出台的相关出口管制规定主要针对特定的先进半导体制造设备，包括EUV薄膜生产设备、光刻设备、沉积设备、外延生长设备等，具体涉及到薄膜沉积、光刻等半导体制造链路中的重点工艺。具体而言，薄膜沉积工艺通常通过物理或化学方法完成，其中物理方法包括物理气相沉积（分为真空蒸镀、溅射等）、旋涂、电镀，而化学方法包括化学气相沉积（分为常压、低压、等离子增强、次常压、高强度等离子体、流体、原子层沉积、沟槽填充、金属、外延系统等）和外延；光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，典型的光刻工艺将包括底膜准备、涂光刻胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘等步骤。尽管此次荷兰新规仅涉及到8类半导体相关物项，但由于相关受限设备可能以不同的方式在不同工艺或工序中重复使用，因此从用途与工艺步骤看来，受限设备的范围较为广泛。

由于此次新规仅对符合特定规格的先进半导体制造设备进行出口限制，据路透社报道，荷兰半导体设备制造龙头企业ASML以及ASM International均发表声明称预计此次新规不会对其业务产生重大影响。[2]根据ASML发布的声明，在光刻设备方面，除此前已经受到限制的极紫外（EUV）光刻设备以外，目前落入新规范围内的光刻设备为最先进的浸润式光刻设备，即TWINSCAN NXT：2000i及后续推出的浸润式光刻设备，而其他光刻设备，包括TWINSCAN NXT：1980系列浸润式光刻设备，以及更低端的光刻设备的出口暂未受到荷兰政府的管控。[3]

在此次荷兰新规正式落地前，针对特定先进半导体制造设备，美国、日本均已公布了相关的出口管制要求。2022年10月7日，美国工业和安全局（BIS）发布先进计算及半导体新规，对中国限制出口先进半导体产品、软件、技术（ECCN 3A090、4A090等），以及先进半导体制造设备（ECCN 3B090）。2023年1月28日，据彭博社报道，美国与荷兰、日本就限制向中国出口特定先进半导体制造设备达成协议。[4]

2023年3月31日，日本经济产业省（METI）宣布修改《外汇及对外贸易法》（外国為替及び外国貿易法），扩大出口前需由经济产业大臣事先批准的尖端芯片制造设备范围，具体涉及6类23种尖端芯片制造设备，包括清洗设备、薄膜沉积设备、退火（热处理）设备、光刻（曝光）设备、刻蚀（化学去除）设备、检查设备等。日本出口商将相关芯片制造设备出口至包括美国、新加坡、中国台湾在内的42个国家和地区时可使用一般许可，将上述芯片制造设备出口至包括中国在内的全球其他国家和地区时则受到逐案审批。该规则于7月开始实施。

在日本政府和荷兰政府发布正式的半导体设备出口管制规则之前，据彭博社报道，3月8日，荷兰贸易部长Liesje Schreinemacher曾致信荷兰议会，称荷兰政府拟最早于今夏发布并实施针对芯片制造技术及设备的出口管制措施，同时荷兰政府将尽快发布一份国家管控清单以实施该管制措施（预计会对中国实施管控措施），管制措施将管控最先进的深紫外（DUV）光刻设备，即ArF光刻设备的出口行为。[5]与上述信函相比，正式发布的相关规定没有涉及具体的国家管控清单，荷兰政府也强调新规的管制要求是非歧视性的。但值得注意的是，尽管没有具体提及中国，但基于荷兰在半导体领域的独特地位，荷兰半导体制造设备企业在半导体供应链中的重要角色以及相关产品的主要出口目的地，新规对中国半导体行业的影响不容忽视。

从目前已经公布的相关管制规定来看，美国、荷兰、日本已经初步建立起新的半导体出口多边管制机制。美国仍期待韩国以及欧盟加入上述机制，共同抑制中国半导体工业的发展，即使目前其他国家暂未发布先进半导体技术及制造设备管制措施，但可以预料的是，未来半导体出口多边管制机制的参与国将会逐渐增多，而中国半导体行业的发展将会在各国的“包围限制”下呈现更加艰难的态势。

由于本次新规于9月正式生效，我们建议中国相关企业利用新规正式生效前的“窗口期”，及时拉通采购、供应链、生产等重点业务部门，盘点拟受限库存设备余量以及未来需求量，并在“窗口期”进行采购备货。

我们建议中国相关企业可以与相关设备涉及的荷兰厂商进行沟通，并了解其是否有设立海外工厂，寻求向该荷兰厂商的海外工厂进行海外设备的购买，由于该海外设备并非由荷兰原产，因而或将可以规避荷兰出口管制法律管辖。

尽管此次荷兰出台的关于特定先进半导体制造相关物项的出口管制新规没有具体提及中国，但鉴于荷兰在半导体供应链中的重要角色及相关产品的主要出口目的地，以及以美国为首的半导体出口多边管制机制或将继续扩张，我们建议中国相关企业可以积极设立海外工厂，进而通过海外工厂采购所需的荷兰相关半导体制造设备，降低相关风险。

从短期来看，我们建议中国相关企业从中国台湾、韩国、德国、新加坡等其他半导体制造设备出口国家和地区处获得替代产品。鉴于以美国为首的半导体出口多边管制机制或将继续扩张，从上述海外国家获取先进半导体制造设备的渠道也可能被逐步封锁，从长期来看，我们建议中国相关企业在国内寻找替代厂商及设备。